PDTA113EMB,315
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PDTA113EMB,315

Product Overview

Produttore:

NXP USA Inc.

Numero di Parte:

PDTA113EMB,315-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventario:

140000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947428
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PDTA113EMB,315 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 40mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 1.5mA, 30mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
180 MHz
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1006B-3
Numero di prodotto di base
PDTA113

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
PDTA113EMB,315 Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
11,225
Altri nomi
NEXNXPPDTA113EMB,315
2156-PDTA113EMB,315

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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