Numero di Prodotto del Fabbricante:
BUK9E4R9-60E,127
Product Overview
Produttore:
NXP USA Inc.
Numero di Parte:
BUK9E4R9-60E,127-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12868887
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BUK9E4R9-60E,127 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
-
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9710 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
234W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
BUK9
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-BUK9E4R9-60E127-NX
934066657127
BUK9E4R960E127
NEXNXPBUK9E4R9-60E,127
568-9876-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
N0603N-S23-AY
FABBRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
1470
NUMERO DI PEZZO
N0603N-S23-AY-DG
PREZZO UNITARIO
1.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IRFSL3306PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFSL3306PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IPI040N06N3GXKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
500
NUMERO DI PEZZO
IPI040N06N3GXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.83
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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