BC635,112
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BC635,112

Product Overview

Produttore:

NXP USA Inc.

Numero di Parte:

BC635,112-DG

Descrizione:

TRANS NPN 45V 1A TO92-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 180MHz 830 mW Through Hole TO-92-3

Inventario:

12823640
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BC635,112 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
45 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
63 @ 150mA, 2V
Potenza - Max
830 mW
Frequenza - Transizione
180MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Numero di prodotto di base
BC63

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
BC635P
BC635P-DG
933221920112

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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