PSMN8R0-80YLX
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PSMN8R0-80YLX

Product Overview

Produttore:

Nexperia USA Inc.

Numero di Parte:

PSMN8R0-80YLX-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventario:

12828658
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PSMN8R0-80YLX Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8167 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
238W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / Custodia
SC-100, SOT-669
Numero di prodotto di base
PSMN8R0

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
934069898115
5202-PSMN8R0-80YLXTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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