Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN4R8-100PSEQ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PSMN4R8-100PSEQ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
5000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12828391
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PSMN4R8-100PSEQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
14400 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
405W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
PSMN4R8
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
568-12856-DG
PSMN4R8-100PSEQ-DG
1727-2471
5202-PSMN4R8-100PSEQTR
568-12856
934068633127
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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