Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN3R5-80ES,127
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PSMN3R5-80ES,127-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12830958
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PSMN3R5-80ES,127 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9800 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
1727-5283
568-6711-DG
2166-PSMN3R5-80ES,127-1727
568-6711
934065163127
568-6711-5
568-6711-5-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PSMN3R5-80PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
5952
NUMERO DI PEZZO
PSMN3R5-80PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
2.00
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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