Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN3R2-40YLDX
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PSMN3R2-40YLDX-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 115W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
2980 Pz Nuovo Originale Disponibile
13270263
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PSMN3R2-40YLDX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.05V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4103 pF @ 20 V
Funzione FET
Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)
115W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / Custodia
SC-100, SOT-669
Numero di prodotto di base
PSMN3R2
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
1727-PSMN3R2-40YLDXDKR
5202-PSMN3R2-40YLDXTR
934660741115
1727-PSMN3R2-40YLDXCT
1727-PSMN3R2-40YLDXTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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