Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN018-100ESFQ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PSMN018-100ESFQ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventario:
12830549
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PSMN018-100ESFQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1482 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
111W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
934068749127
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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