Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
PMXB65UPEZ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PMXB65UPEZ-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
70811 Pz Nuovo Originale Disponibile
12831722
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PMXB65UPEZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
634 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1010D-3
Pacchetto / Custodia
3-XDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
PMXB65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
PMXB65UPE
Scheda Dati HTML
PMXB65UPEZ-DG
Schede dati
PMXB65UPEZ
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
1727-2177-2
1727-2177-1
568-12342-1-DG
1727-2177-6
568-12342-2-DG
PMXB65UPEZ-DG
934067151147
568-12342-6
568-12342-6-DG
568-12342-1
568-12342-2
5202-PMXB65UPEZTR
PMXB65UPE,147
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
BUK7909-75AIE,127
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
PSMN015-100B,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
NX138BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB