Numero di Prodotto del Fabbricante:
PMPB08R4VPX
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PMPB08R4VPX-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventario:
5980 Pz Nuovo Originale Disponibile
12954276
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PMPB08R4VPX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
900mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN2020MD-6
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
PMPB08
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-PMPB08R4VPXTR
1727-PMPB08R4VPXDKR
1727-PMPB08R4VPXCT
5202-PMPB08R4VPXTR
934661979115
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SIR476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
