Numero di Prodotto del Fabbricante:
PMH850UPEH
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PMH850UPEH-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
Inventario:
4228 Pz Nuovo Originale Disponibile
12970165
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PMH850UPEH Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
950mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
62.2 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN0606-3
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
PMH850
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
1727-PMH850UPEHDKR
935690961125
5202-PMH850UPEHTR
1727-PMH850UPEHCT
1727-PMH850UPEHTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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