Numero di Prodotto del Fabbricante:
PMDPB85UPE,115
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PMDPB85UPE,115-DG
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 2.9A 515mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventario:
12826749
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PMDPB85UPE,115 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
950mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
514pF @ 10V
Potenza - Max
515mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore
6-HUSON (2x2)
Numero di prodotto di base
PMDPB85
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
934066843115
2156-PMDPB85UPE,115-1727
5202-PMDPB85UPE,115TR
1727-1239-6
568-10444-6-DG
568-10444-1-DG
568-10444-2-DG
568-10444-1
1727-1239-2
568-10444-2
1727-1239-1
568-10444-6
PMDPB85UPE,115-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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