PEMH18,115
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PEMH18,115

Product Overview

Produttore:

Nexperia USA Inc.

Numero di Parte:

PEMH18,115-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventario:

RFQ Online
12827809
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PEMH18,115 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-666
Numero di prodotto di base
PEMH18

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
PEMH18
Scheda Dati HTML
PEMH18,115-DG
Schede dati
PEMH18,115

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
934058932115
5202-PEMH18,115TR
NEXNXPPEMH18,115
PEMH18 T/R
PEMH18 T/R-DG
2156-PEMH18,115-NEX

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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