Numero di Prodotto del Fabbricante:
PEMH17,115
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PEMH17,115-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventario:
12830502
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PEMH17,115 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Nexperia
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-666
Numero di prodotto di base
PEMH17
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
934058931115
PEMH17 T/R
PEMH17 T/R-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN1909FE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3948
NUMERO DI PEZZO
RN1909FE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RN1904FE,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3425
NUMERO DI PEZZO
RN1904FE,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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