Numero di Prodotto del Fabbricante:
PEMH16,115
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PEMH16,115-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventario:
12827541
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PEMH16,115 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-666
Numero di prodotto di base
PEMH16
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
NEXNXPPEMH16,115
1727-PEMH16,115TR
5202-PEMH16,115TR
934058929115
2156-PEMH16,115-NEX
PEMH16 T/R
1727-PEMH16,115DKR
1727-PEMH16,115CT
PEMH16,115-DG
PEMH16 T/R-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSBC124XDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1962
NUMERO DI PEZZO
NSBC124XDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
RN1908FE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
RN1908FE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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