Numero di Prodotto del Fabbricante:
PEMB9,315
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PEMB9,315-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventario:
12831349
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PEMB9,315 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-666
Numero di prodotto di base
PEMB9
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
5202-PEMB9,315TR
934057047315
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSBA114YDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
3990
NUMERO DI PEZZO
NSBA114YDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RN2907FE,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
RN2907FE,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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