Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTD123YQAZ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTD123YQAZ-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
12828418
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PDTD123YQAZ Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
210 MHz
Potenza - Max
325 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1010D-3
Numero di prodotto di base
PDTD123
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
NEXNXPPDTD123YQAZ
2156-PDTD123YQAZ-NEX
5202-PDTD123YQAZTR
934069274147
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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