Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTD114ETR
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTD114ETR-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 225 MHz 320 mW Surface Mount TO-236AB
Inventario:
3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918569
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PDTD114ETR Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
225 MHz
Potenza - Max
320 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q100
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Numero di prodotto di base
PDTD114
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-7552-2
1727-7552-1
1727-7552-6
934031040215
5202-PDTD114ETR
PDTD114ETR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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