PDTB114ETR
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PDTB114ETR

Product Overview

Produttore:

Nexperia USA Inc.

Numero di Parte:

PDTB114ETR-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 320 mW Surface Mount TO-236AB

Inventario:

3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12832618
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PDTB114ETR Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
140 MHz
Potenza - Max
320 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q100
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Numero di prodotto di base
PDTB114

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-8163-2
1727-8163-1
5202-PDTB114ETR
PDTB114ETR-DG
2166-PDTB114ETR-1727
1727-8163-6
934031090215

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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