Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTB113ET,215
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTB113ET,215-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventario:
3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12830623
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PDTB113ET,215 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Numero di prodotto di base
PDTB113
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
5202-PDTB113ET,215TR
PDTB113ET,215-DG
1727-PDTB113ET,215CT
934058978215
1727-PDTB113ET,215DKR
PDTB113ET T/R
1727-PDTB113ET,215TR
2166-PDTB113ET,215-1727
PDTB113ET T/R-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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