Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTA123JQAZ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTA123JQAZ-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
12832270
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PDTA123JQAZ Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
180 MHz
Potenza - Max
280 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1010D-3
Numero di prodotto di base
PDTA123
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
934069139147
5202-PDTA123JQAZTR
2156-PDTA123JQAZ-1727
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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