Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTA115EMB,315
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTA115EMB,315-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventario:
12827877
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PDTA115EMB,315 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
20 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
100 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
180 MHz
Potenza - Max
250 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q100
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1006B-3
Numero di prodotto di base
PDTA115
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
934065934315
5202-PDTA115EMB,315TR
2156-PDTA115EMB,315-1727
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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