Numero di Prodotto del Fabbricante:
PDTA114EQCZ
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PDTA114EQCZ-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 360 mW Surface Mount, Wettable Flank DFN1412D-3
Inventario:
24970 Pz Nuovo Originale Disponibile
12987511
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PDTA114EQCZ Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA
Frequenza - Transizione
180 MHz
Potenza - Max
360 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto / Custodia
3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN1412D-3
Numero di prodotto di base
PDTA114
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
1727-PDTA114EQCZCT
1727-PDTA114EQCZTR
5202-PDTA114EQCZTR
934660906147
1727-PDTA114EQCZDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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