NXV90EPR
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NXV90EPR

Product Overview

Produttore:

Nexperia USA Inc.

Numero di Parte:

NXV90EPR-DG

Descrizione:

NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventario:

45051 Pz Nuovo Originale Disponibile
12986863
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

NXV90EPR Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
252 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-NXV90EPRTR
1727-NXV90EPRDKR
1727-NXV90EPRCT
934661667215
5202-NXV90EPRTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
nxp-semiconductors

PSMN6R3-120PS

PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S

micro-commercial-components

MCACL175N06Y-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

goford-semiconductor

G10N10A

N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252

vishay-siliconix

SQD15N06-42L_T4GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET