Numero di Prodotto del Fabbricante:
NXV65UPR
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
NXV65UPR-DG
Descrizione:
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
50625 Pz Nuovo Originale Disponibile
12950069
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NXV65UPR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
458 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-NXV65UPRDKR
1727-NXV65UPRCT
1727-NXV65UPRTR
934661665215
5202-NXV65UPRTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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