Numero di Prodotto del Fabbricante:
NHDTA123JTR
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
NHDTA123JTR-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventario:
32400 Pz Nuovo Originale Disponibile
12977952
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NHDTA123JTR Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA
Frequenza - Transizione
150 MHz
Potenza - Max
250 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Numero di prodotto di base
NHDTA123
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-NHDTA123JCT-DG
1727-NHDTA123JDKR
1727-NHDTA123JDKR-DG
1727-NHDTA123JTRDKR
1727-NHDTA123JTR
5202-NHDTA123JTR
1727-NHDTA123JTRCT
1727-NHDTA123JCT
934661362215
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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