Numero di Prodotto del Fabbricante:
BUK661R8-30C,118
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
BUK661R8-30C,118-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12827574
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BUK661R8-30C,118 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
-
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10918 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
BUK661
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
568-6996-6-DG
BUK661R8-30C,118-DG
BUK661R830C118
1727-5517-6
1727-5517-2
568-6996-2
934063772118
1727-5517-1
568-6996-1
568-6996-1-DG
568-6996-2-DG
568-6996-6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB80N03S4L02ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SUM90N03-2M2P-E3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1612
NUMERO DI PEZZO
SUM90N03-2M2P-E3-DG
PREZZO UNITARIO
1.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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