Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSH205G2R
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
BSH205G2R-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
93115 Pz Nuovo Originale Disponibile
12831155
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BSH205G2R Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
950mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
418 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
480mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q100
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
BSH205
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-2247-6
1727-2247-2
1727-2247-1
5202-BSH205G2RTR
568-12533-1
568-12533-2
568-12533-6-DG
568-12533-6
568-12533-2-DG
934068496215
568-12533-1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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