Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N7002NXAKR
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
2N7002NXAKR-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 190mA (Ta), 300mA (Tc) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
87630 Pz Nuovo Originale Disponibile
12826318
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2N7002NXAKR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.43 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
20 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
2N7002
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-8643-2
934661281215
1727-8643-1
1727-8643-6
5202-2N7002NXAKRTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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