2N7002/HAMR
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2N7002/HAMR

Product Overview

Produttore:

Nexperia USA Inc.

Numero di Parte:

2N7002/HAMR-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 300mA (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventario:

52769 Pz Nuovo Originale Disponibile
12826139
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2N7002/HAMR Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
830mW (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
2N7002

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1727-8645-1
934660832215
1727-8645-2
2156-2N7002/HAMRTR
5202-2N7002/HAMRTR
1727-8645-6

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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