JANTXV2N6849U
Numero di Prodotto del Fabbricante:

JANTXV2N6849U

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

JANTXV2N6849U-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

Inventario:

12924236
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JANTXV2N6849U Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Military
Qualificazione
MIL-PRF-19500/564
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
18-ULCC (9.14x7.49)
Pacchetto / Custodia
18-CLCC

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1
Altri nomi
JANTXV2N6849U-DG
JANTXV2N6849U-MIL
150-JANTXV2N6849U

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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