JANTXV2N6784

Numero di Prodotto del Fabbricante:

JANTXV2N6784

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

JANTXV2N6784-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 200 V 2.25A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Inventario:

RFQ Online

12924914

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JANTXV2N6784 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Microsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2.25A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

8.6 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 15W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Military

Qualificazione

MIL-PRF-19500/556

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-205AF (TO-39)

Pacchetto / Custodia

TO-205AF Metal Can

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1

Altri nomi

JANTXV2N6784-DG

JANTXV2N6784-MIL

150-JANTXV2N6784

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

RoHS non-compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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