Numero di Prodotto del Fabbricante:
JAN2N3960UB
Product Overview
Produttore:
Microsemi Corporation
Numero di Parte:
JAN2N3960UB-DG
Descrizione:
TRANS NPN 12V UB
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 400 mW Surface Mount UB
Inventario:
12921988
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JAN2N3960UB Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
12 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 10mA, 1V
Potenza - Max
400 mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grado
Military
Qualificazione
MIL-PRF-19500/399
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
UB
Numero di prodotto di base
2N3960
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
1086-20941-DG
150-JAN2N3960UB
1086-20941
1086-20941-MIL
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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