Numero di Prodotto del Fabbricante:

APTM100DA33T1G

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

APTM100DA33T1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1000 V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventario:

RFQ Online

13251741

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APTM100DA33T1G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Microsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1000 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 2.5mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

305 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

7868 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

390W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Pacchetto / Custodia

SP1

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

APTM100DA33T1G High-Voltage Power Discretes and Modules

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1

Altri nomi

APTM100DA33T1G-ND

150-APTM100DA33T1G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

RoHS Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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