APT9F100S
Numero di Prodotto del Fabbricante:

APT9F100S

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

APT9F100S-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK

Inventario:

13258669
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APT9F100S Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
POWER MOS 8™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2606 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
337W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D3Pak
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1
Altri nomi
APT9F100S-ND
150-APT9F100S

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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