Numero di Prodotto del Fabbricante:
APT6M100K
Product Overview
Produttore:
Microsemi Corporation
Numero di Parte:
APT6M100K-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventario:
13257353
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APT6M100K Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1410 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
225W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220 [K]
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
APT6M100K-ND
150-APT6M100K
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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