APT40SM120B
Numero di Prodotto del Fabbricante:

APT40SM120B

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

APT40SM120B-DG

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 41A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 273W (Tc) Through Hole TO-247

Inventario:

RFQ Online
13264777
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APT40SM120B Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA (Typ)
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2560 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
273W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
100
Altri nomi
150-APT40SM120B
APT40SM120B-ND

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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