Numero di Prodotto del Fabbricante:
APT17N80BC3G
Product Overview
Produttore:
Microsemi Corporation
Numero di Parte:
APT17N80BC3G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
13247758
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APT17N80BC3G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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