TN0106N3-G-P013
Numero di Prodotto del Fabbricante:

TN0106N3-G-P013

Product Overview

Produttore:

Microchip Technology

Numero di Parte:

TN0106N3-G-P013-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

RFQ Online
12810245
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

TN0106N3-G-P013 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Tape & Box (TB)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 500µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base
TN0106

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
TN0106

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
microchip-technology

VP0550N3-G

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

infineon-technologies

IRF6643TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

infineon-technologies

IRLR7821TRRPBF

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

infineon-technologies

IRFS3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK