Numero di Prodotto del Fabbricante:
TN0106N3-G-P003
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
TN0106N3-G-P003-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
943 Pz Nuovo Originale Disponibile
12809114
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TN0106N3-G-P003 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 500µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base
TN0106
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
150-TN0106N3-G-P003CT
TN0106N3-G-P003-DG
150-TN0106N3-G-P003DKR-DG
150-TN0106N3-G-P003DKRINACTIVE
150-TN0106N3-G-P003TR
150-TN0106N3-G-P003DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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