Numero di Prodotto del Fabbricante:
MNS2N3810UP/TR
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
MNS2N3810UP/TR-DG
Descrizione:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Inventario:
12975672
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MNS2N3810UP/TR Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
50mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 100µA, 1mA
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
150 @ 1mA, 5V
Potenza - Max
350mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grado
Military
Qualificazione
MIL-PRF-19500/336
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-78-6 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-78-6
Numero di prodotto di base
2N3810
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
150-MNS2N3810UP/TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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