APT8M100B
Numero di Prodotto del Fabbricante:

APT8M100B

Product Overview

Produttore:

Microchip Technology

Numero di Parte:

APT8M100B-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventario:

37 Pz Nuovo Originale Disponibile
13254280
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APT8M100B Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1885 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247 [B]
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
APT8M100

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
APT8M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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