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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
APT25M100J
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
APT25M100J-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventario:
RFQ Online
13256468
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APT25M100J Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9835 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
545W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ISOTOP®
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
APT25M100
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
APT25M100J
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFN30N120P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFN30N120P-DG
PREZZO UNITARIO
46.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
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