Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N6270
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
2N6270-DG
Descrizione:
POWER BJT
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 262 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Inventario:
12983524
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2N6270 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
-
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
-
Potenza - Max
262 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204AD (TO-3)
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
150-2N6270
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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