Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N3506L
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
2N3506L-DG
Descrizione:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Inventario:
13251499
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
2N3506L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
40 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 500mA, 1V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-5AA
Numero di prodotto di base
2N3506
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
JANS2N3498U4
TRANS NPN 100V 0.5A U4
JANTXV2N3725UB
TRANS NPN 50V 0.5A UB
JAN2N6650
TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA
