Numero di Prodotto del Fabbricante:

MMIX1F180N25T

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

MMIX1F180N25T-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD

Inventario:

20 Pz Nuovo Originale Disponibile

12822065

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

MMIX1F180N25T Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

250 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

132A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 8mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

364 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

23800 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

570W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMPD

Pacchetto / Custodia

24-PowerSMD, 21 Leads

Numero di prodotto di base

MMIX1F180

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

MMIX1F180N25T-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

20

Altri nomi

-MMIX1F180N25T

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

littelfuse

IXTQ180N055T

MOSFET N-CH 55V 180A TO3P

littelfuse

IXTQ96N20P

MOSFET N-CH 200V 96A TO3P

littelfuse

IXTQ88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO3P

littelfuse

IXTP230N04T4M

MOSFET N-CH 40V 230A TO220