IXTX200N10L2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTX200N10L2

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTX200N10L2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

168 Pz Nuovo Originale Disponibile
12822042
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IXTX200N10L2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Linear L2™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXTX200

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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