IXTX110N20L2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTX110N20L2

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTX110N20L2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

700 Pz Nuovo Originale Disponibile
12820709
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IXTX110N20L2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Linear L2™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXTX110

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXT(K,X)110N20L2
Scheda Dati HTML
IXTX110N20L2-DG
Schede dati
IXTX110N20L2

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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