Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTX102N65X2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTX102N65X2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 102A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12820351
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IXTX102N65X2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXTX102
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SCT3022ALGC11
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
1695
NUMERO DI PEZZO
SCT3022ALGC11-DG
PREZZO UNITARIO
36.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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