Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTU08N100P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTU08N100P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
12819784
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXTU08N100P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
-
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251AA
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
IXTU08
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFH80N085
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
IXFA270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
